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薄膜電容的損耗由多方面引起

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-07-09 10:53:00    來源:智旭官網    作者:智旭珊    瀏覽次數:83
導讀

薄膜電容器的tgδ除與溫度、頻率有關外,還受其它許多因素的累響,如電壓、濕度等在一般結構的電容器中,如不考慮電壓增大引起的電容器發熱,從而使損耗有所增大時,損耗tgδ與電壓的關系很小,但當薄膜電容器具有夾層式極化損耗、自發極化損耗以及電離損耗寸,其tgδ將隨電壓發生顯著的變化。

薄膜電容器是以金屬箔當電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構造之電容器。薄膜電容的損耗由什么引起的呢,多方面解析原因,希望本文的內容可以幫助到您

薄膜電容器的tgδ除與溫度、頻率有關外,還受其它許多因素的累響,如電壓、濕度等在一般結構的電容器中如不考慮電壓增大引起的電容器發熱,從而使損耗有所增大時,損耗tgδ與電壓的關系很小,但當薄膜電容器具有夾層式極化損耗、自發極化損耗以及電離損耗寸,tgδ將隨電壓發生顯著的變化。

薄膜電容器介質本身或介質與介質及介質與極板之間存在空隙時,當電壓足夠高時氣隙的電離將引起損耗tgδ迅速增大。在電離損耗中除了由于氣隙電離引起的損耗外,還有一種所請閃躒效應”引起的損耗。

由于工藝不佳在極板邊緣可能會有不連續金屬膜層和孤立的導電徵粒,在較高電壓作用下,它們之間會發生微放電現象這就是所謂的閃爍效應”。潮是對薄膜電容器損耗的影響也十分明顯,在潮濕環境中電容器表面上逐漸凝結水分,形成水膜,使表面漏導電流增大,導致損耗tgδ增大。此外當水分子進入介質時,會改變材料的性能,同時會增大金屬層的氧化和腐蝕,促使薄膜電容器早期失效。

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關鍵詞: 薄膜電容
(文/智旭珊)
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